Especificaciones de producto: Tecnología: DDR3 SODIMM Densidad: 2 x 8 GB (8192MB) RoHS: Sí Número de pines: Op 204pin. Temp .: 0 ° C a + 85 ° C Velocidad de datos: DDR31867 Velocidad: PC314900 CL: 11 Tiempo de ciclo: 1.875ns Voltaje: 1.35V ECC: Rangos del módulo no ECC: Dual Rango Registro: no paridad. Bajo Ruido 8Layer PCB Cumple y / o excede de Apple / Intel Especificaciones. Totalmente compatible con la especificación JEDEC. Certificado RoHS
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OWC 1867DDR3S16P Componente para: Portátil/Ordenador Portatil
Memoria interna: 16 GB.
Características de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB.
Tipo de memoria interna: DDR3.
Frecuencia del reloj de memoria: 1867 MHz.
Unidad de memoria: SO-DIMM de 204 pines.
Latencia de memoria CAS: 11.
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